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療法提供：武警黑龍江省總隊(duì)醫(yī)院神經(jīng)外科，朱毓科 周曉平 劉洋

手術(shù)方法：

均同期行雙側(cè)丘腦底核微電極植入術(shù)。

①局麻下安裝CRW-FN立體定向頭架，行1.0T或1.5T MRI （Siemens） 掃描。采用圖像直接定位和坐標(biāo)值定位相結(jié)合的方法計(jì)算靶點(diǎn)坐標(biāo)，參考STN坐標(biāo)值：x = 12~15.5 mm，y = －2 ~－3 mm，z = －4 ~－6 mm。STN靶點(diǎn)位于MRI顯示的STN核的下極中心，分別在正中矢狀位、AC-PC平面和AC-PC平面下4 mm斷位像、原點(diǎn)后2 mm冠狀位，計(jì)算相對(duì)于立體定向頭架的靶點(diǎn)坐標(biāo)，計(jì)算4組坐標(biāo)平均值，作為解剖定位的坐標(biāo)值。

②全麻下于額部中線旁2.5 cm作3 cm長(zhǎng)頭皮切口，冠狀縫前行顱骨鉆孔。采用微電極和電生理記錄系統(tǒng) （FHC公司） 確認(rèn)靶點(diǎn)。微電極阻抗為100~300 kΩ，濾波范圍下限500 Hz，上限2 000 Hz，記錄細(xì)胞外放電。電信號(hào)放大20 000倍后實(shí)時(shí)顯示，同時(shí)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成聲音輸出。用Polyview軟件 （美國(guó)Grass） 對(duì)電信號(hào)放電方式、頻率、波幅及背景噪音結(jié)合解剖圖譜進(jìn)行分析。根據(jù)微電極記錄結(jié)果，確認(rèn)STN核上界和下界。

③經(jīng)上述方法定位后植入腦內(nèi)刺激電極 （DBS Electrode Model 3387和3389，美國(guó)Medtronic）。因術(shù)中無(wú)法觀察刺激效果，因此行分次手術(shù)。連接體外臨時(shí)刺激器，觀察療效4~7 d，術(shù)后待病人癥狀明顯改善，再于全麻下將脈沖發(fā)生器植入皮下。在鎖骨下方作5~6 cm長(zhǎng)切口，將脈沖發(fā)生器 （Itrel Ⅱ，Medtronic） 植入胸部皮下，通過(guò)皮下延長(zhǎng)導(dǎo)線與腦內(nèi)電極連接。

④第2次術(shù)后4~15 d開(kāi)啟植入性脈沖發(fā)生器，選擇刺激觸點(diǎn)單極或雙極刺激，刺激電壓1.4~3.1 V，平均2.2 V，頻率180~190 Hz，平均184.4 Hz，脈寬60~120 ms，平均96.3 ms。